2022年6月22日消息，三星電子公司預(yù)計將在下周宣布大規(guī)模生產(chǎn)3納米芯片。下一代3納米芯片將建立在Gate-All-Around（GAA）技術(shù)之上，與現(xiàn)有的FinFET工藝相比，該技術(shù)將使芯片面積減少45%，性能提高30%，功耗降低50%。三星3納米量產(chǎn)時間早于臺積電量。
作為競爭對手，臺積電計劃繼續(xù)將 FinFET 技術(shù)應(yīng)用到3納米工藝中，并從2納米工藝開始引入 GAA 技術(shù)。如果按照三星電子的計劃，它將成為全球第一家量產(chǎn)3納米半導(dǎo)體的代工廠。最初，臺積電計劃在2022年7月將3納米工藝應(yīng)用于英特爾的CPU 和 GPU的量產(chǎn)。
為什么三星要提前3納米芯片量產(chǎn)計劃呢？
觀點分析：
1、提前量產(chǎn)，有利于搶先占據(jù)高端芯片市場份額。三星與臺積電的市場份額差距加大，臺積電在2021年第二季度占全球代工市場的58%，三星的份額為14%。根據(jù)市場研究公司 Counterpoint Research 的數(shù)據(jù)，第一季度，臺積電的市場份額為55%，而三星為17%。
2、有利于開拓新型技術(shù)戰(zhàn)爭，爭奪技術(shù)優(yōu)勢主動權(quán)。三星電子和臺積電都在生產(chǎn)基于 FinFet 技術(shù)的5納米芯片。然而現(xiàn)階段從市場反映來看，臺積電在良率和性能方面占據(jù)上風(fēng)。
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