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        打破日韓壟斷!國(guó)內(nèi)研發(fā)的ITO靶材技術(shù),解決了“卡脖子”的問(wèn)題

        隨著科技不斷地發(fā)展,中國(guó)科技也迅速崛起,不少科技研究都打破了國(guó)外技術(shù)壁壘。其中,鄭州大學(xué)科研團(tuán)隊(duì)研發(fā)的ITO靶材,其關(guān)鍵技術(shù)指標(biāo)達(dá)到了國(guó)際先進(jìn)水平。該項(xiàng)技術(shù)不僅解決了“卡脖子”問(wèn)題,實(shí)現(xiàn)了ITO靶材制備整體工藝技術(shù)自主創(chuàng)新,更是一舉打破了日韓企業(yè)在該領(lǐng)域的壟斷。

        那么,這是一個(gè)什么樣的技術(shù)?它的應(yīng)用都有哪些?這項(xiàng)技術(shù)的研究意義又是什么?

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        這是個(gè)什么樣的技術(shù)?

        ITO靶材,又稱氧化銦錫材料,是電子產(chǎn)品顯示屏所用的關(guān)鍵材料之一。

        沒(méi)有這個(gè)關(guān)鍵材料,顯示屏的玻璃基材就不透明不導(dǎo)電。ITO靶材用磁控濺射離子束對(duì)著靶材進(jìn)行高速轟擊,將其氣化濺鍍到玻璃基板上,就形成了一層既導(dǎo)電又透明的ITO膜。

        2015年至今,鄭州大學(xué)的何季麟院士團(tuán)隊(duì)經(jīng)過(guò)數(shù)年的研發(fā),終于成功取得了“平板顯示用高性能ITO靶材的關(guān)鍵技術(shù)及工程化”項(xiàng)目的成果,實(shí)現(xiàn)了中國(guó)在高端ITO靶材的制造生產(chǎn)領(lǐng)域從零到有的突破。

        在這個(gè)領(lǐng)域里,何季麟院士團(tuán)隊(duì)研發(fā)出關(guān)鍵技術(shù)體系,包含:ITO靶材粉體制備、素坯注漿成型、無(wú)壓氧氣氛燒結(jié)與靶坯綁定。

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        這個(gè)技術(shù)的應(yīng)用范圍有哪些?

        從2019年至2021年數(shù)據(jù)來(lái)看,國(guó)內(nèi)ITO靶材市場(chǎng)容量從639噸增長(zhǎng)到1,002噸,年復(fù)合增長(zhǎng)率為25.22%。可見(jiàn),ITO靶材應(yīng)用范圍較廣,這里例舉主要的三大領(lǐng)域如下(其他領(lǐng)域不做介紹)。

        1、顯示屏領(lǐng)域的應(yīng)用

        近幾年,隨著電子數(shù)碼產(chǎn)品行業(yè)的飛速發(fā)展,以陰極射線管(CRT)為主的電腦、電視顯示屏占據(jù)了市場(chǎng)主流,這對(duì)ITO靶材的技術(shù)要求也大幅提高。另外,隨著LCD、觸摸面板和OLED等下游市場(chǎng)需求的快速擴(kuò)大,國(guó)內(nèi)對(duì)高端ITO靶材的需求持續(xù)上升。

        2、集成電路半導(dǎo)體的應(yīng)用

        ?在集成電路半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)里,硅晶片的制造商對(duì)靶材需求大,國(guó)內(nèi)在半導(dǎo)體靶材占比約約 9%。

        由于,靶材的結(jié)晶粒子直徑和均勻性是影響薄膜沉積率的關(guān)鍵因素,因此,半導(dǎo)體對(duì)靶材濺射薄膜的品質(zhì)要求是最苛刻的,要求所制造的靶材具有更好的微觀結(jié)構(gòu)(比如:大尺寸、高純度、低偏析和細(xì)晶粒)。

        因此,隨著需求和要求的不斷提高,也會(huì)帶動(dòng)高端ITO靶材技術(shù)的發(fā)展。

        3、太陽(yáng)能電的應(yīng)用

        太陽(yáng)能電池板的基本成分是薄膜太陽(yáng)能電池,這里的薄膜也需要用到ITO靶材,在國(guó)內(nèi)太陽(yáng)能電靶材應(yīng)用占比約為9%。

        而且,國(guó)內(nèi)為了實(shí)現(xiàn)2030年達(dá)到碳中和的目標(biāo),會(huì)大力發(fā)展新能源(風(fēng)能和太陽(yáng)能等)的建設(shè)。因此,隨著太陽(yáng)能電的建設(shè)越來(lái)越多,也將會(huì)增加對(duì)ITO靶材的需求。

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        這項(xiàng)技術(shù)的研發(fā)意義

        1、打破技術(shù)壁壘,實(shí)現(xiàn)超越

        在20年前,這項(xiàng)技術(shù)是被外國(guó)“卡脖子”,其他發(fā)達(dá)國(guó)家不僅實(shí)行技術(shù)保密,還不賣裝備,國(guó)內(nèi)對(duì)此項(xiàng)技術(shù)更是無(wú)材料可查。乃至2018年,國(guó)內(nèi)還沒(méi)有一家企業(yè)能做超過(guò)32英寸的靶材,燒不出大號(hào)靶材,中國(guó)平板顯示制造就陷入困境。

        因此,何季麟院士團(tuán)隊(duì)實(shí)現(xiàn)了大尺寸ITO靶材制備關(guān)鍵技術(shù)突破,直接打破了國(guó)外技術(shù)壁壘。為我國(guó)建立了ITO靶材制備新型工藝流程,并形成完善的全流程工藝裝備體系及控制標(biāo)準(zhǔn),并實(shí)現(xiàn)技術(shù)指標(biāo)達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平。

        2、改變了日韓企業(yè)的壟斷局面

        之前,由于日韓企業(yè)把握著生產(chǎn)制造ITO靶材的技術(shù),所以全球的ITO靶材的生產(chǎn)和銷售都集中在日韓企業(yè)手里。如今,我國(guó)的ITO靶材新技術(shù)研發(fā)成功,并已經(jīng)成功應(yīng)用于世界最大面板企業(yè)京東方的高世代TFT線,完全實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)替代進(jìn)口,改變了ITO靶材市場(chǎng)格局。

        這不僅打破了日韓企業(yè)的壟斷局面,甚至,由于?該項(xiàng)技術(shù)的應(yīng)用,迫使日本ITO靶材大幅降價(jià),降幅75%以上。

        3、推進(jìn)關(guān)鍵材料的國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程

        我國(guó)通過(guò)自研的創(chuàng)新技術(shù),不僅實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)高端ITO的生產(chǎn)與供應(yīng),還基于這項(xiàng)技術(shù)建立了高水平靶材研發(fā)平臺(tái)與團(tuán)隊(duì),為行業(yè)培養(yǎng)了一批骨干人才。

        隨著技術(shù)廣泛應(yīng)用,以及人才的批量培養(yǎng),進(jìn)一步推進(jìn)國(guó)內(nèi)新興顯示產(chǎn)業(yè)關(guān)鍵基材的國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程,逐步實(shí)現(xiàn)關(guān)鍵基材“中國(guó)制造”到“中國(guó)創(chuàng)造”的轉(zhuǎn)變。

        打破日韓壟斷!國(guó)內(nèi)研發(fā)的ITO靶材技術(shù),解決了“卡脖子”的問(wèn)題

        結(jié)束語(yǔ)

        國(guó)內(nèi)研發(fā)的ITO靶材的技術(shù),不僅打破了日韓企業(yè)的壟斷局面,更是達(dá)到了國(guó)際領(lǐng)先水平??梢钥吹剑S著國(guó)內(nèi)科技的發(fā)展,一些關(guān)鍵技術(shù)“卡脖子”的問(wèn)題,正在一步步地解決。

        當(dāng)然,這離不開國(guó)內(nèi)科研人員的努力,以及國(guó)家的大力支持。筆者相信,只要國(guó)內(nèi)科企和科研人員,舍去“買辦”思想,丟棄依賴進(jìn)口技術(shù)的習(xí)慣,用不了多久就會(huì)創(chuàng)造出更多的領(lǐng)先國(guó)際的技術(shù)。

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