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        氮化鎵材料加速“出圈”氣派科技“瞄準(zhǔn)”5G 宏基站突破

        目前,以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)為主的第三代半導(dǎo)體材料憑借高頻、高效、高功率、耐高壓、抗輻射等諸多優(yōu)勢(shì)特性,在5G、新能源汽車(chē)、消費(fèi)電子、新一代顯示、航空航天等領(lǐng)域有重要應(yīng)用。

        其中,氮化鎵以小體積,低成本成功加速“出圈”。雖然2021年5G 基站建站速度相對(duì)與 2020 年有所減緩,但是 5G 射頻功放技術(shù)仍在快速升級(jí)和迭代,展現(xiàn)出巨大的發(fā)展?jié)摿桶蹴缟鷻C(jī)。

        在此背景下,入局氮化鎵材料器件相關(guān)領(lǐng)域的企業(yè)越來(lái)越多,基于不同品牌GaN器件開(kāi)發(fā)的應(yīng)用型產(chǎn)品也相繼量產(chǎn),帶動(dòng)相關(guān)產(chǎn)品封裝測(cè)試需求增長(zhǎng),氣派科技(股票代碼:688216)則正以開(kāi)發(fā)的“5G 宏基站大功率 GaN 射頻功放的塑封封裝技術(shù)”在一眾企業(yè)中嶄露頭角。

        公開(kāi)資料顯示,“5G基站用氮化鎵(GaN)分立式射頻器件封裝測(cè)試技術(shù)研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目”是氣派科技在2019年承擔(dān)的工信部“先進(jìn)制造業(yè)集群”中智能移動(dòng)終端(5G移動(dòng)通訊)產(chǎn)業(yè)技術(shù)改造和關(guān)鍵技術(shù)攻關(guān)方向項(xiàng)目,2021年公司成功開(kāi)發(fā)了國(guó)內(nèi)國(guó)際領(lǐng)先的 5G 宏基站大功率 GaN 射頻功放的塑封封裝技術(shù),目前已完成技術(shù)路線(xiàn)和和方案的評(píng)估認(rèn)證,有望在年內(nèi)實(shí)現(xiàn)批量生產(chǎn)。

        截至2021年底,氣派科技配合終端通信大客戶(hù)已經(jīng)進(jìn)行了超過(guò)80個(gè)型號(hào),400組方案的封裝技術(shù)驗(yàn)證,客戶(hù)認(rèn)可度良好,在5G基站GaN微波射頻功放塑封產(chǎn)品穩(wěn)定量產(chǎn)的基礎(chǔ)上將GaN的塑封封裝技術(shù)拓展到了消費(fèi)領(lǐng)域,并實(shí)現(xiàn)了量產(chǎn)。

        值得一提的是,除5G基站外,宏基站建站需求正快速增長(zhǎng),宏基站GaN射頻功放無(wú)論是高頻還是低頻目前國(guó)際國(guó)內(nèi)均采用的是陶瓷封裝,成本居高不下,一定程度上制約了整個(gè)行業(yè)的發(fā)展,而塑封封裝替代技術(shù)將成為推動(dòng)行業(yè)發(fā)展的一大助力,也為氣派科技提供了持續(xù)的發(fā)展動(dòng)力。

        得益于“十四五”規(guī)劃的推進(jìn),國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體材料企業(yè)一直持續(xù)地?cái)U(kuò)充自身產(chǎn)能,相關(guān)產(chǎn)品的導(dǎo)入進(jìn)程也在加速推進(jìn),產(chǎn)品應(yīng)用更是對(duì)應(yīng)于不同的需求進(jìn)入了“個(gè)性化”階段。

        5G通訊、物聯(lián)網(wǎng)、人工智能、汽車(chē)電子等新興終端市場(chǎng)需求不斷涌現(xiàn),集成電路產(chǎn)品需求及功能日益多元化,行業(yè)已經(jīng)從標(biāo)準(zhǔn)品時(shí)代進(jìn)入到更加個(gè)性化、定制化的新時(shí)代,帶動(dòng)芯片設(shè)計(jì)趨向于多樣化,對(duì)應(yīng)的封裝測(cè)試方案需要相應(yīng)的專(zhuān)門(mén)定制。對(duì)此,氣派科技已經(jīng)與16家客戶(hù)達(dá)成定制化開(kāi)發(fā)意向,其中4項(xiàng)產(chǎn)品已完成量產(chǎn),正加速邁出定制化的腳步。

        市場(chǎng)增量需求方面,業(yè)內(nèi)分析人士認(rèn)為,隨著信號(hào)頻譜增加,5G手機(jī)中的射頻前端、天線(xiàn)和功率放大器價(jià)值量將會(huì)顯著提升,同時(shí)伴隨高速網(wǎng)絡(luò)下載大容量文件的需要,5G手機(jī)的閃存用量將比4G手機(jī)顯著增長(zhǎng)。5G時(shí)代會(huì)有海量外部設(shè)備的接入,相應(yīng)的將帶動(dòng)各種智能終端內(nèi)處理器、模擬芯片和傳感器等半導(dǎo)體產(chǎn)品的用量提升,從而帶動(dòng)下游封裝環(huán)節(jié)的需求增長(zhǎng)。

        氣派科技創(chuàng)新研發(fā)的順利進(jìn)行離不開(kāi)外部市場(chǎng)及政策環(huán)境的無(wú)形推動(dòng),公司位于珠三角地區(qū)核心的中國(guó)電子產(chǎn)品制造基地和進(jìn)出口集散地——深圳,具有貼近市場(chǎng)的地域優(yōu)勢(shì)。且近年來(lái)珠三角地區(qū)的集成電路設(shè)計(jì)業(yè)發(fā)展迅速,在國(guó)內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)中所占比重也逐年提升,區(qū)域的發(fā)展優(yōu)勢(shì)進(jìn)一步突顯,帶動(dòng)電子元器件配套市場(chǎng)的迅速崛起為氣派發(fā)展提供了沃土。

        除地域區(qū)位帶來(lái)的優(yōu)勢(shì)外,產(chǎn)業(yè)政策扶持也是一大助力,氣派科技的5G基站的新型塑封封裝技術(shù)研發(fā)項(xiàng)目,也得以更便捷的應(yīng)用于工業(yè)與信息化部規(guī)劃司招標(biāo)“2019年先進(jìn)制造業(yè)集群”中“大灣區(qū)世界級(jí)先進(jìn)制造產(chǎn)業(yè)集群的東莞市智能移動(dòng)終端產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目”,進(jìn)而積累工程數(shù)據(jù)和經(jīng)驗(yàn),夯實(shí)公司在5G射頻功放封裝技術(shù)的領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)。

        在政策支持方面,“十四五”規(guī)劃中提及大力支持發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),以期實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)獨(dú)立自主,同時(shí)對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈各個(gè)關(guān)鍵“卡脖子”環(huán)節(jié)將重點(diǎn)支持。得益于此,我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)自主創(chuàng)新、生產(chǎn)進(jìn)程獲得了進(jìn)一步攀升,也由此帶動(dòng)了國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體材料市場(chǎng)的擴(kuò)張。

        可以說(shuō),堅(jiān)持自主創(chuàng)新,打破技術(shù)壁壘是我國(guó)半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)、半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)走向世界,占領(lǐng)一席之地的必由之路,節(jié)奏與產(chǎn)品需求結(jié)構(gòu)逐漸匹配,國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體領(lǐng)域企業(yè)才能步入業(yè)務(wù)發(fā)展上升路。

        在市場(chǎng)需求與政策支持雙驅(qū)動(dòng)背景下,氣派科技將先進(jìn)封裝的技術(shù)應(yīng)用于提高芯片性能,芯片性能的提升又會(huì)促進(jìn)其他行業(yè)的發(fā)展,從而間接地為芯片設(shè)計(jì)、制造、封測(cè)技術(shù)突破帶來(lái)更多可能,真正實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)正向循環(huán),為發(fā)展注入不竭動(dòng)力,未來(lái)前景十分廣闊。

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