大家都知道，隨著社會(huì)科技的高度發(fā)展，尤其在人工智能、AI和智能微型設(shè)備領(lǐng)域的快速跨越式進(jìn)步，造就了原有芯片支撐體系的不足，智能持續(xù)提升底層芯片的架構(gòu)和設(shè)計(jì)、優(yōu)化芯片的綜合芯片，使得在越來越微小的高智能設(shè)備中得到充分的應(yīng)用，并支撐起它應(yīng)有的功能。

目前芯片的發(fā)展從原有了幾十納米，逐步因?yàn)樵O(shè)備智能為發(fā)展越來越小型化，從64nm,28nm,14nm,10nm,7nm,5nm到目前最先進(jìn)的3nm芯片技術(shù)的發(fā)展。半導(dǎo)體芯片經(jīng)歷過數(shù)十個(gè)世代的更新與進(jìn)步。也是人類發(fā)展的必然趨勢(shì)、是各國(guó)高科技綜合發(fā)展的體現(xiàn)。

目前因?yàn)閹资畟€(gè)發(fā)展先進(jìn)的國(guó)家一起造就了荷蘭ASML，成為高尖端芯片發(fā)展的基礎(chǔ)力量，目前來說只有ASML光刻機(jī)技術(shù)，才能與配套的光晶體等材料制成最先進(jìn)的納米芯片。

據(jù)初步了解，目前臺(tái)積電和三星等芯片制造商已經(jīng)完成了3nm芯片制造的設(shè)計(jì)與制造，甚至三星超過了臺(tái)積電成為第一個(gè)制造3nm芯片的企業(yè)，但臺(tái)積電并不甘于落后，將在今年下半年開始量產(chǎn)3nm芯片，對(duì)三星來一個(gè)反超趨勢(shì)。而且通過國(guó)外媒體了解到，臺(tái)積電的3nmm芯片早就被一些超級(jí)廠商所預(yù)定，比如高通、英特爾、賽靈思、英偉達(dá)、AMD等廠商，當(dāng)然會(huì)排除華為在外了。

據(jù)臺(tái)積電CEO魏總的說法，3nm工藝的設(shè)計(jì)相對(duì)于已經(jīng)量產(chǎn)的5nm工藝而言，它將芯片的晶體管密度的制程提升了將近70%之多，而且速度和能效也都提高了15%和30%左右。這對(duì)于我國(guó)目前開始逐漸量產(chǎn)的14nm芯片簡(jiǎn)直不可同日而語！完全沒有可比性。當(dāng)然話說回來我們也可是奮起直追、目前14nm應(yīng)用領(lǐng)域也開始逐漸覆蓋我們國(guó)家發(fā)展所需的75%以上的領(lǐng)域。

前些時(shí)日有外媒報(bào)道稱，漂亮國(guó)和日本已經(jīng)開始一起組建團(tuán)隊(duì)聯(lián)手研發(fā)2nm制程工藝的芯片了。從外媒分析來看主要是針對(duì)臺(tái)積電而言，不想在尖端芯片制造上太過于依賴臺(tái)積電。所以才有了幾個(gè)月前漂亮國(guó)要求臺(tái)積電和三星等其他提供他們的核心數(shù)據(jù)。甚至要求臺(tái)積電大規(guī)模投資漂亮國(guó)，甚至建立超級(jí)工廠在本地制造。

從臺(tái)積電學(xué)習(xí)技術(shù)的同時(shí)，漂亮國(guó)考慮與自己的小弟一起聯(lián)手研究來反超臺(tái)積電，研究2nm芯片來主導(dǎo)未來的半導(dǎo)體市場(chǎng)。這樣對(duì)于美日等高科技企業(yè)如英特爾、高通、蘋果等廠商提供了強(qiáng)力的發(fā)展支撐。這波操作難道是擔(dān)心臺(tái)積電以后不做漂亮國(guó)的跟屁蟲了？

甚至臺(tái)積電的CEO在股東大會(huì)上表示：半導(dǎo)體的發(fā)展不是花費(fèi)多少投入、用多少人去參與研發(fā)就可以模仿出來的，是需要日積月累的制造和設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn)，所以臺(tái)積電根本不擔(dān)心被超越，甚至也說過內(nèi)地是獨(dú)立造不出來高尖端的芯片。不是哪一個(gè)獨(dú)立國(guó)家能研制出來的。

或許我們?cè)贏SML的光刻機(jī)上有巨大差距，想追上他們的步伐很難，超越他們更難，但我們能經(jīng)歷這么艱難的各行各業(yè)都發(fā)展起來，空間站都可以獨(dú)立建造。芯片我相信我們也能行，就算傳統(tǒng)光刻技術(shù)不行，通過中科院和華為等科研院所與企業(yè)，通過其他優(yōu)質(zhì)的方法，如量子芯片、碳基芯片或芯片疊加技術(shù)等方式進(jìn)行追趕甚至反超都不是夢(mèng)。

所以我們還是要努力，到時(shí)候就像漂亮國(guó)禁止我們參與空間站一樣，最后在芯片領(lǐng)域也亮瞎他們的雙眼。你們相信我們能行嗎？反正我信！